Method of making film or wafer composed of material of metal oxide type or semiconductor type to have nanostructure - Université de technologie de Troyes Accéder directement au contenu
Brevet Année : 2016

Method of making film or wafer composed of material of metal oxide type or semiconductor type to have nanostructure

Gilles Lerondel
Laboratoire de Nanotechnologie et d'Instrumentation Optique
CV
Laurent Divay
  • Fonction : Auteur

Domaines

Optique / photonique

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https://utt.hal.science/hal-03141938

Soumis le : lundi 15 février 2021-16:07:55

Dernière modification le : vendredi 12 janvier 2024-16:46:36

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03141938 , version 1 (15-02-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03141938 , version 1

Citer

Gilles Lerondel, Laurent Divay. Method of making film or wafer composed of material of metal oxide type or semiconductor type to have nanostructure. Japan, Patent n° : JP6014722 (B2). 2016. ⟨hal-03141938⟩

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