Method of nanostructuring a film or a wafer of material of the metal oxide or semiconductor type - Université de technologie de Troyes Accéder directement au contenu
Brevet Année : 2012

Method of nanostructuring a film or a wafer of material of the metal oxide or semiconductor type

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03141931 , version 1 (15-02-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03141931 , version 1

Citer

Gilles Lerondel, Laurent Divay. Method of nanostructuring a film or a wafer of material of the metal oxide or semiconductor type. China, Patent n° : CN102428215 (A). 2012. ⟨hal-03141931⟩

Collections

CNRS UTT
7 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More