Carrier localization in In-rich InGaN/GaN multiple quantum wells for green light-emitting diodes - Université de technologie de Troyes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Carrier localization in In-rich InGaN/GaN multiple quantum wells for green light-emitting diodes

Domaines

Optique / photonique

Jean-Baptiste VU VAN  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://utt.hal.science/hal-02866184

Soumis le : vendredi 12 juin 2020-12:16:48

Dernière modification le : vendredi 12 janvier 2024-16:45:27

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02866184 , version 1 (12-06-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02866184 , version 1

Citer

Hyun Jeong, Hyeon Jun Jeong, Hye Min Oh, Chang-Hee Hong, Eun-Kyung Suh, et al.. Carrier localization in In-rich InGaN/GaN multiple quantum wells for green light-emitting diodes. SPIE Optics and Photonics, Nanophotonic Materials XII, Aug 2015, San Diego, United States. ⟨hal-02866184⟩

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