Wafer‐level Fabrication of sub 10 nm Gap Hot Spots for Highly Sensitive and Quantification of Biomolecules by Surface Enhanced Raman and Fluorescence Spectroscopies - Université de technologie de Troyes Accéder directement au contenu
Poster De Conférence Année : 2019

Wafer‐level Fabrication of sub 10 nm Gap Hot Spots for Highly Sensitive and Quantification of Biomolecules by Surface Enhanced Raman and Fluorescence Spectroscopies

Rishabh Rastogi
  • Fonction : Auteur
Pierre-Michel Adam
Lumière, nanomatériaux et nanotechnologies
Sivashankar Krishnamoorthy
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1049023
Luxembourg Institute of Science and Technology

Domaines

Optique / photonique

Jean-Baptiste VU VAN  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://utt.hal.science/hal-02291158

Soumis le : mercredi 18 septembre 2019-12:28:47

Dernière modification le : vendredi 2 février 2024-16:26:01

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02291158 , version 1 (18-09-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02291158 , version 1

Citer

Rishabh Rastogi, Pierre-Michel Adam, Sivashankar Krishnamoorthy. Wafer‐level Fabrication of sub 10 nm Gap Hot Spots for Highly Sensitive and Quantification of Biomolecules by Surface Enhanced Raman and Fluorescence Spectroscopies. 4th International Conference on Enhanced Spectrocopies, ICES 4, Jun 2019, London (Ontario), Canada. ⟨hal-02291158⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UTT
17 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More